ISSN 2522-4468

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: https://rep.bsatu.by/handle/doc/17813
Название: Морфология Ti, V покрытий для тыльных контактов биосенсоров
Другие названия: Morphology of Ti, V coatings for rear contacts of biosensors
Авторы: Барайшук, Сергей Михайлович
Голосов, Д. А.
Шевченок, Александр Аркадьевич
Мельникова, Г. Б.
Ключевые слова: сенсоры
тонкие пленки
топография поверхности
магнетронное распыление
тыльные контакты
sensors
thin films
surface topography
surface topography
magnetron sputtering
rear contact
Дата публикации: 2022
Издательство: Севастопольский государственный университет
Библиографическое описание: Морфология Ti, V покрытий для тыльных контактов биосенсоров = Morphology of Ti, V coatings for rear contacts of biosensors / С. М. Барайшук [и др.] // Перспективные технологии и материалы : материалы Международной научно-практической конференции, Севастополь, 21-23 сентября 2022 г. - Севастополь: Севастопольский государственный университет, 2022. - С. 215-217.
Аннотация: Целью работы являлось исследование влияния наличие тыльного проводящего слоя полученного магнетронным распылением Ti, а так же параметров процесса нанесения и последующего отжига на свойства топографии и структуру поверхности пленок оксида ванадия VOx, осажденных методом реактивного магнетронного распыления V мишени в Ar/O2 смеси газов. The aim of this work was to study the effect of the presence of a rear conducting layer obtained by magnetron sputtering of Ti, as well as the parameters of the deposition process and subsequent annealing, on the topographic properties and surface structure of vanadium oxide VOx films deposited by reactive magnetron sputtering of a V-target in an Ar/O2 gas mixture.
URI: https://rep.bsatu.by/handle/doc/17813
УДК: 539
Располагается в коллекциях:2022

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
morfologiya-ti-v-pokrytij-dlya-tylnyh-kontaktov-biosensorov.pdfС. 215-217971,59 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.