ISSN 2522-4468

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: https://rep.bsatu.by/handle/doc/12890
Название: Structure and Damage of Silicon Modified by Means of Thin Films Ion Assisted Deposition
Авторы: Tashlykov, I. S.
Baraishuk, Sergey Mikhailovich
Mikhalkovich, O. M.
Antonovich, I. P.
Ташлыков, Игорь Серафимович
Барайшук, Сергей Михайлович
Михалкович, Олег Михайлович
Антонович, И. П.
Ключевые слова: ионно-ассистированное осаждение
кремний
модифицирование поверхностей
ion-assisted deposition
silicon
surface modification
Дата публикации: 2007
Издательство: Lublin University of Technology
Библиографическое описание: Structure and Damage of Silicon Modified by Means of Thin Films Ion Assisted Deposition = Модификация структуры и повреждения кремния с помощью ионного осаждения / I. S. Tashlykov [и др.] // NEET'2007. New Electrical and Electronic Technologies and their Industrial Implementation : V International Conference, Zakopane, 12-15 June 2007. - Lublin : Lublin University of Technology, 2007. - Р. 79.
URI: https://rep.bsatu.by/handle/doc/12890
УДК: 544.022
Располагается в коллекциях:2007

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
Structure and Damage of Silicon Modified by Means of Thin Films Ion Assisted Deposition2007.pdfР. 79583,59 kBAdobe PDFЭскиз
Просмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.