ISSN 2522-4468

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: https://rep.bsatu.by/handle/doc/12890
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorTashlykov, I. S.-
dc.contributor.authorBaraishuk, Sergey Mikhailovich-
dc.contributor.authorMikhalkovich, O. M.-
dc.contributor.authorAntonovich, I. P.-
dc.contributor.authorТашлыков, Игорь Серафимович-
dc.contributor.authorБарайшук, Сергей Михайлович-
dc.contributor.authorМихалкович, Олег Михайлович-
dc.contributor.authorАнтонович, И. П.-
dc.date.accessioned2021-05-24T10:29:47Z-
dc.date.available2021-05-24T10:29:47Z-
dc.date.issued2007-
dc.identifier.citationStructure and Damage of Silicon Modified by Means of Thin Films Ion Assisted Deposition = Модификация структуры и повреждения кремния с помощью ионного осаждения / I. S. Tashlykov [и др.] // NEET'2007. New Electrical and Electronic Technologies and their Industrial Implementation : V International Conference, Zakopane, 12-15 June 2007. - Lublin : Lublin University of Technology, 2007. - Р. 79.ru_RU
dc.identifier.urihttps://rep.bsatu.by/handle/doc/12890-
dc.language.isoenru_RU
dc.publisherLublin University of Technologyru_RU
dc.subjectионно-ассистированное осаждениеru_RU
dc.subjectкремнийru_RU
dc.subjectмодифицирование поверхностейru_RU
dc.subjection-assisted depositionru_RU
dc.subjectsiliconru_RU
dc.subjectsurface modificationru_RU
dc.titleStructure and Damage of Silicon Modified by Means of Thin Films Ion Assisted Depositionru_RU
dc.typeArticleru_RU
dc.identifier.udc544.022-
dc.relation.bookNEET'2007. New Electrical and Electronic Technologies and their Industrial Implementation : V International Conference, Zakopane, 12-15 June 2007ru_RU
Располагается в коллекциях:2007

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
Structure-and-Damage-of-Silicon-Modified-by-Means-of-Thin-Films-Ion-Assisted-Deposition.pdfР. 79583,68 kBAdobe PDFЭскиз
Просмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.