ISSN 2522-4468

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: https://rep.bsatu.by/handle/doc/20588
Название: Исследование свойств пленки на основе Mо на подложке Si для создания тонкопленочного ИК-излучателя
Другие названия: Investigation of the properties of Mo-based film on Si substrate for prepare of thin-film IR emitter
Авторы: Михалкович, Олег Михайлович
Барайшук, Сергей Михайлович
Ткаченко, Тамара Михайловна
Ключевые слова: тонкие пленки
композиционный состав
структура поверхности
ИК-излучатель
thin films
composition
surface structure
IR emitter
Дата публикации: 2023
Издательство: БГУ
Библиографическое описание: Михалкович, О. М. Исследование свойств пленки на основе Mо на подложке Si для создания тонкопленочного ИК-излучателя = Investigation of the properties of Mo-based film on Si substrate for prepare of thin-film IR emitter / О. М. Михалкович, С. М. Барайшук, Т. М. Ткаченко // Взаимодействие излучений с твердым телом = Interaction of radiation with solids : материалы 15-й Международной конференции, Минск, 26-29 сентября 2023 г. - Минск : БГУ, 2023. - С. 414-416.
Аннотация: В работе представлены исследования композиционного состава, топографии поверхности и удельного сопротивления структур пленка на основе Мо/кремний изготовленных комбинацией различных методов (осаждение покрытий ассистированное собственными ионами (ОПАСИ) и магнетронного распыления) и режимов нанесения. In this paper a composite structure, surface topography and resistivity of Mo film/silicon structures prepared by combination of various methods (self-ion-assisted deposition (SIAD) of coating and magnetron sputtering) and dep-osition modes are discussed.
URI: https://rep.bsatu.by/handle/doc/20588
УДК: 621.793
Располагается в коллекциях:2023

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
issledovanie-svojstv-plenki-na-osnove-mo-na-podlozhke-si-dlya-sozdaniya-tonkoplenochnogo-ik-izluchatelya.pdfС. 414-416479,66 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.