Исследование свойств пленки на основе Mо на подложке Si для создания тонкопленочного ИК-излучателя

Abstract

В работе представлены исследования композиционного состава, топографии поверхности и удельного сопротивления структур пленка на основе Мо/кремний изготовленных комбинацией различных методов (осаждение покрытий ассистированное собственными ионами (ОПАСИ) и магнетронного распыления) и режимов нанесения. In this paper a composite structure, surface topography and resistivity of Mo film/silicon structures prepared by combination of various methods (self-ion-assisted deposition (SIAD) of coating and magnetron sputtering) and dep-osition modes are discussed.