ISSN 2522-4468

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: https://rep.bsatu.by/handle/doc/12381
Название: Analysis of the composition of Ti-based thin films deposited on silicon by means of self-ion assisted deposition
Авторы: Tashlykov, I. S.
Zukowski, P. V.
Baraishuk, Sergey Mikhailovich
Mikhalkovich, O. M.
Барайшук, Сергей Михайлович
Ключевые слова: тонкие пленки
низкотемпературные исследования
кремний
thin films
low temperature research
silikon
hydrogen content
self–ion assisted deposition
Ti-based films
Дата публикации: 2007
Издательство: Publisher: Taylor & Francis
Библиографическое описание: Analysis of the composition of Ti-based thin films deposited on silicon by means of self-ion assisted deposition = Радиационные эффекты и дефекты в твердых телах: объединение науки о плазме и плазменных технологий / I. S. Tashlykov [и др.] // Radiation Effects and Defects in Solids: Incorporating Plasma Science and Plasma Technology. - 2007. - Vol. 162. - N 9. - P. 637-641.
Аннотация: The composition of Ti-based thin films deposited on silicon using a self-ion assisted deposition (SIAD) methodwas investigated by utilising the Rutherford backscattering spectrometry technique and RUMP simulation code. Состав тонких пленок на основе Ti, нанесенных на кремний с использованием метода самоионно-ассистированного осаждения (SIAD), был исследован с использованием методики спектрометрии обратного рассеяния Резерфорда и кода моделирования RUMP.
URI: https://rep.bsatu.by/handle/doc/12381
УДК: 621.7.029
Располагается в коллекциях:Статьи из научных журналов

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
Analysis-of-the-composition-of-Ti-based-thin-films-deposited-on-silicon-by-means-of-self-ion-assisted-deposition.pdfP. 637-641202,53 kBAdobe PDFЭскиз
Просмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.