ISSN 2522-4468

  1. Репозиторий БГАТУ!
  2. Факультеты
  3. Агроэнергетический факультет
  4. Научные публикации факультета
  5. Статьи из научных журналов
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: https://rep.bsatu.by/handle/doc/12381
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorTashlykov, I. S.-
dc.contributor.authorZukowski, P. V.-
dc.contributor.authorBaraishuk, Sergey Mikhailovich-
dc.contributor.authorMikhalkovich, O. M.-
dc.contributor.authorБарайшук, Сергей Михайлович-
dc.date.accessioned2021-03-24T06:24:02Z-
dc.date.available2021-03-24T06:24:02Z-
dc.date.issued2007-
dc.identifier.citationAnalysis of the composition of Ti-based thin films deposited on silicon by means of self-ion assisted deposition = Радиационные эффекты и дефекты в твердых телах: объединение науки о плазме и плазменных технологий / I. S. Tashlykov [и др.] // Radiation Effects and Defects in Solids: Incorporating Plasma Science and Plasma Technology. - 2007. - Vol. 162. - N 9. - P. 637-641.ru_RU
dc.identifier.urihttps://rep.bsatu.by/handle/doc/12381-
dc.description.abstractThe composition of Ti-based thin films deposited on silicon using a self-ion assisted deposition (SIAD) methodwas investigated by utilising the Rutherford backscattering spectrometry technique and RUMP simulation code. Состав тонких пленок на основе Ti, нанесенных на кремний с использованием метода самоионно-ассистированного осаждения (SIAD), был исследован с использованием методики спектрометрии обратного рассеяния Резерфорда и кода моделирования RUMP.ru_RU
dc.language.isoenru_RU
dc.publisherPublisher: Taylor & Francisru_RU
dc.subjectтонкие пленкиru_RU
dc.subjectнизкотемпературные исследованияru_RU
dc.subjectкремнийru_RU
dc.subjectthin filmsru_RU
dc.subjectlow temperature researchru_RU
dc.subjectsilikonru_RU
dc.subjecthydrogen contentru_RU
dc.subjectself–ion assisted depositionru_RU
dc.subjectTi-based filmsru_RU
dc.titleAnalysis of the composition of Ti-based thin films deposited on silicon by means of self-ion assisted depositionru_RU
dc.typeArticleru_RU
dc.identifier.udc621.7.029-
dc.relation.bookRadiation Effects and Defects in Solids: Incorporating Plasma Science and Plasma Technologyru_RU
Располагается в коллекциях:Статьи из научных журналов

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
Analysis-of-the-composition-of-Ti-based-thin-films-deposited-on-silicon-by-means-of-self-ion-assisted-deposition.pdfP. 637-641202,53 kBAdobe PDFЭскиз
Просмотреть/Открыть
Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.