Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
https://rep.bsatu.by/handle/doc/12890
Название: | Structure and Damage of Silicon Modified by Means of Thin Films Ion Assisted Deposition |
Авторы: | Tashlykov, I. S. Baraishuk, Sergey Mikhailovich Mikhalkovich, O. M. Antonovich, I. P. Ташлыков, Игорь Серафимович Барайшук, Сергей Михайлович Михалкович, Олег Михайлович Антонович, И. П. |
Ключевые слова: | ионно-ассистированное осаждение кремний модифицирование поверхностей ion-assisted deposition silicon surface modification |
Дата публикации: | 2007 |
Издательство: | Lublin University of Technology |
Библиографическое описание: | Structure and Damage of Silicon Modified by Means of Thin Films Ion Assisted Deposition = Модификация структуры и повреждения кремния с помощью ионного осаждения / I. S. Tashlykov [и др.] // NEET'2007. New Electrical and Electronic Technologies and their Industrial Implementation : V International Conference, Zakopane, 12-15 June 2007. - Lublin : Lublin University of Technology, 2007. - Р. 79. |
URI: | https://rep.bsatu.by/handle/doc/12890 |
УДК: | 544.022 |
Располагается в коллекциях: | 2007 |
Файлы этого ресурса:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
Structure-and-Damage-of-Silicon-Modified-by-Means-of-Thin-Films-Ion-Assisted-Deposition.pdf | Р. 79 | 583,68 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.