Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
https://rep.bsatu.by/handle/doc/12578
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Михалкович, Олег Михайлович | - |
dc.contributor.author | Ташлыков, Игорь Серафимович | - |
dc.contributor.author | Барайшук, Сергей Михайлович | - |
dc.date.accessioned | 2021-04-14T13:29:35Z | - |
dc.date.available | 2021-04-14T13:29:35Z | - |
dc.date.issued | 2012 | - |
dc.identifier.citation | Михалкович, О. М. Нанотвердость пленок и диффузия атомов Ti и Со в кремнии, модифицированном ионно-ассистированным осаждением покрытий в сочетании с облучением ионами Хе / О. М. Михалкович, И. С. Ташлыков, С. М. Барайшук // Материалы и структуры современной электроники : сборник научных трудов V Международной научной конференции, Минск, 10–11 октября 2012 г. - Минск : Издательский центр БГУ, 2012. - С. 54–56. | ru_RU |
dc.identifier.uri | https://rep.bsatu.by/handle/doc/12578 | - |
dc.description.abstract | Обсуждаются результаты изучения композиционного состава, диффузионных процессов в Si при модифицировании осаждением Ti и Со покрытий в условиях ассистирования собственными ионами с энергией 7 кэВ, когда образцы кремния были предварительно облученными ионами ксенона и необлученными, а также изучения нанотвердости полученных структур. | ru_RU |
dc.language.iso | ru | ru_RU |
dc.publisher | Издательский центр БГУ | ru_RU |
dc.subject | Si | ru_RU |
dc.subject | Ti | ru_RU |
dc.subject | Со | ru_RU |
dc.subject | Хе | ru_RU |
dc.subject | ионно-ассистированное осаждение покрытий | ru_RU |
dc.subject | нанотвердость | ru_RU |
dc.subject | диффузионные процессы | ru_RU |
dc.subject | облучение ионами | ru_RU |
dc.title | Нанотвердость пленок и диффузия атомов Ti и Со в кремнии, модифицированном ионно-ассистированным осаждением покрытий в сочетании с облучением ионами Хе | ru_RU |
dc.type | Article | ru_RU |
dc.identifier.udc | 539.2 | - |
dc.relation.book | Сборник научных трудов V Международной научной конференции «Материалы и структуры современной электроники». Минск, 10–11 октября 2012 г. | ru_RU |
Располагается в коллекциях: | 2012 |
Файлы этого ресурса:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
Mihalkovich, O. M. Nanotverdost' plenok i diffuziya atomov Ti i So v kremnii, modificirovannom ionno-assistirovannym osazhdeniem pokrytij v sochetanii s oblucheniem ionami He.pdf | С. 54–56 | 249,33 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.