Композиционный состав структуры вольфрамовая пленка/кремний, сформированной катодно-вакуумным распылением

Abstract

Проведены исследования композиционного состава тонких пленок сформированных, методом катодного распыления W в условиях ионного ассистирования на Si. Ускоряющий потенциал ассистирующих ионов W составлял 7,15 и 20 кВ, время экспонирования - 1 час. Использовался метод Резерфордовского обратного рассеяния ионов He + с энергией 1,45 МэВ (?E = 15 кэВ) и геометрией рассеяния ?1 = 0°, ?2 = 70°, ?3 = 110°, и компьютерное моделирование экспериментальных спектров РОР по программе RUMP. Распределение элементов в массиве пленки практически равномерное. Концентрация атомов W, Si, C, O, H в пленке составляет в среднем 12, 6, 48, 29, 5 ат.% соответственно. The composition of thin films formed by cathode sputtering of tungsten on silicon with ion assisted were studied. The accelerating potential of the assisting ions W was 7,15 and 20 kV, the exposure time was 1 hour. The method of Rutherford backscattering of He + ions with an energy of 1.45 MeV (?E = 15 keV) and with scattering geometry ?1 = 0°, ?2 = 70°, ?3 =110° and the modeling program RUMP of RBS spectra we used. The distribution of elements in the film mass is almost uniform. The concentration of W, Si, C, O, H atoms in the film averages 12, 6, 48, 29, 5 at.%, respectively.