Изучение потенциально индуцированной деградации элементов для оптических ИК-газоанализаторов

Abstract

Потенциал индуцированная деградация (ПИД) кремниевой подложки и сформированного на ней функционального слоя сенсорного или солнечного элемента, вызванная возникновением разности потенциалов между подложкой и корпусом в условиях облучения в видимом и инфракрасном диапазонах вызывает потерю их эффективности. В работе исследована деградация тонких пленок дисилицида молибдена, полученных на пластинах монокристаллического кремния (111) Si, с последующим облучением ионами Mo+ при ускоряющем потенциале 5 кВ–15 кВ. Potentially induced degradation of the silicon substrate and the functional layer of the sensor or solar cell formed on it, caused by the occurrence of a potential difference between the substrate and the case during irradiation in the visible and infrared ranges, leads to the loss of their performance. In this paper, the degradation of thin films of molybdenum disilicide obtained on wafers of monocrystalline silicon (111) Si with subsequent irradiation with Mo+ ions at an accelerating potential of 5 kV–15 kV was investigated.