ISSN 2522-4468

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: https://rep.bsatu.by/handle/doc/12083
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorТуровец, Антон Иванович-
dc.contributor.authorБарайшук, Сергей Михайлович-
dc.contributor.authorТкаченко, Тамара Михайловна-
dc.contributor.authorРагимов, Рашад Низамеддин-
dc.contributor.authorМамедов, И. Х.-
dc.contributor.authorАраслы, Д. Г.-
dc.contributor.authorХалилова, А. А.-
dc.date.accessioned2021-02-22T13:17:17Z-
dc.date.available2021-02-22T13:17:17Z-
dc.date.issued2018-
dc.identifier.citationТопография поверхности субмикронных пленок эвтектического композита GaSb-CrSb / А. И. Туровец [и др.] // Методологические аспекты сканирующей зондовой микроскопии : сборник докладов ХIII Международной конференции, Минск, 16-29 октября 2018 г. - Минск : Беларуская навука, 2018. - С. 44-48.ru_RU
dc.identifier.urihttps://rep.bsatu.by/handle/doc/12083-
dc.description.abstractМетодом «мгновенного испарения» получены тонкие пленки полупроводникового эвтектического композита GaSb-CrSb. Изучены микроструктура, рельеф поверхности, подтверждена равномерность нанесения покрытий, оценена толщина наносимого покрытия методом атомно-силовой микроскопии.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherБеларуская навукаru_RU
dc.subjectсубмикронные пленкиru_RU
dc.subjectэвтектикаru_RU
dc.subjectэвтектические композитыru_RU
dc.subjectтонкие пленкиru_RU
dc.subjectатомно-силовая микроскопияru_RU
dc.titleТопография поверхности субмикронных пленок эвтектического композита GaSb-CrSbru_RU
dc.typeArticleru_RU
dc.identifier.udc544.022:546.03-
dc.relation.bookМетодологические аспекты сканирующей зондовой микроскопии : сборник докладов ХIII Международной конференции, Минск, 16-29 октября 2018 г.ru_RU
Располагается в коллекциях:2018

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
topografiya-poverhnosti-submikronnyh-plenok-ehvtekticheskogo-kompozita-gasb-crsb.pdfС. 44-481,61 MBAdobe PDFЭскиз
Просмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.