Электрофизические свойства тонких пленок оксида индия

Abstract

Исследованы электрофизические свойства тонких наноструктурированных пленок оксида индия. Структура и химический состав этих пленок изучены методами электронографии, сканирующей электронной микроскопии, рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. Температурную зависимость проводимости этих пленок измеряли при постоянной концентрации кислорода методом циклической термодесорбции. На основе результатов исследований предложен механизм проводимости. Результаты могут быть использованы в микроэлектронных сенсорах. The electricophysical properties of the nanostructured indium oxide thin films were investigated. The structure and chemical composition of these films were studied by methods of electron diffraction, scanning electron microscopy, X-ray photoelectron spectroscopy. The temperature dependence of the conductivity of these films were measured at a constant oxygen concentration by method of cyclic thermal desorption. The conduction mechanism is proposed based on the results of research. The results can be used in microelectronic sensors.